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InAsSb探测器是一种基于三元III-V族窄带隙半导体材料的红外光电探测器，因其可调谐的截止波长和优异的光电性能，在中波至长波红外（3–12μm）探测领域具有重要应用价值。通过调节Sb组分比例，InAs???Sb?的带隙可在0.1–0.36 eV范围内连续调控，对应工作波长覆盖3–12μm，尤其适用于3–5μm大气窗口，广泛用于热成像、气体传感、工业检测及军事红外制导等场景。
InAsSb探测器通常以光伏型结构工作，具备高量子效率、低暗电流和良好的信噪比。其优势源于InAs与InSb的良好晶格匹配性以及较高的电子迁移率，使得载流子输运迅速、响应速度快。在77 K低温下，InAsSb探测器可接近背景限（BLIP）工作，探测率（D*）高达10??–10??Jones，性能优于部分传统材料。此外，InAsSb可与AlSb等材料构成应变层超晶格（如InAsSb/AlSb），进一步抑制俄歇复合、降低暗电流，提升高温工作能力。
材料制备方面，InAsSb通常采用分子束外延（MBE）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）在GaSb衬底上生长，以获得高质量单晶薄膜。然而，其性能易受组分均匀性、界面缺陷及表面漏电影响，因此需结合先进钝化技术（如硫处理、介电层封装）优化器件稳定性。近年来，InAsSb基焦平面阵列（FPA）已实现中波红外成像，并逐步向大面阵、小像元发展。
相较于HgCdTe（MCT）等传统红外材料，InAsSb不含汞、工艺兼容性好、成本较低，且具备良好的均匀性和可扩展性，在中波红外探测器市场中正成为MCT的重要替代方案。随着材料生长与器件工艺的持续进步，InAsSb探测器在室温或近室温高性能红外传感、便携式光谱仪及自动驾驶激光雷达等新兴领域展现出广阔前景。
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InAsSb探测器