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MCT碲镉汞探测器是一种高性能的红外光电探测器，广泛应用于中波红外（3–5μm）和长波红外（8–14μm）波段，甚至可延伸至甚长波（>14μm）。其核心优势在于可通过调节Cd组分比例灵活调控材料带隙，从而精确匹配目标探测波长。例如，当Cd含量约为0.3时，MCT在室温下带隙对应8–12μm大气窗口，非常适合热成像与遥感应用。
MCT探测器通常以光伏型或光导型结构工作，具有高量子效率、高探测率（D*）、快速响应和优异的信噪比。尤其在低温（如77 K）下，其暗电流极低，灵敏度接近背景限（BLIP），使其成为高d红外系统（如军y夜视、导d制导、天文观测和气体分析）的s选探测器。此外，MCT材料电子有效质量小、载流子迁移率高，有利于实现高速、低噪声探测。
然而，MCT材料制备难度大，晶体缺陷敏感，且Hg易挥发，对生长工艺（如液相外延LPE、分子束外延MBE）要求高。衬底常采用CdZnTe，但成本昂贵且尺寸受限；近年来也发展出在Si或GaAs衬底上异质外延的技术路径，以降低成本并实现大规模焦平面阵列（FPA）集成。目前，百万像素级MCT红外焦平面已实现工程化应用。
尽管面临InSb、量子阱红外探测器（QWIP）及II类超晶格（T2SL）等技术的竞争，MCT凭借其宽光谱响应、高工作温度潜力和综合性能优势，仍在高d红外探测领域占据主导地位。随着材料均匀性提升、读出电路集成和封装技术进步，MCT探测器正朝着更高分辨率、更小像元、更低功耗和更广工作温度范围的方向发展，在国防、科研与民用红外成像市场持续发挥关键作用。
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MCT碲镉汞探测器